La Commissione europea ha approvato, ai sensi delle norme Ue sugli aiuti di Stato, una misura italiana da 2 miliardi di euro per sostenere la STMicroelectronics (St) nella costruzione e nella gestione di un impianto integrato di produzione di chip per dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC) a Catania.
La misura – spiega la Commissione – rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori, in linea con gli obiettivi fissati nella comunicazione sul Chips Act europeo.
La misura contribuirà inoltre a realizzare la transizione digitale e verde. L’Italia ha notificato alla Commissione il suo piano di sostegno al progetto del Campus di Catania della ST volto a costruire e gestire un impianto integrato di produzione di chip per dispositivi di potenza SiC. Il SiC è un materiale composto utilizzato per produrre wafer che fungono da base per microchip specifici utilizzati in dispositivi di potenza ad alte prestazioni, come nei veicoli elettrici, nelle stazioni di ricarica rapida, nelle energie rinnovabili e in altre applicazioni industriali. L’impianto integrato coprirà tutte le fasi di produzione dalla materia prima ai dispositivi finiti, ovvero transistor e moduli di potenza.
L’aiuto assumerà la forma di una sovvenzione diretta di circa 2 miliardi di euro alla ST per sostenere il suo investimento del valore totale di 5 miliardi di euro. Il progetto consentirà lo sviluppo di un impianto di produzione su larga scala per chip SiC ad alte prestazioni, basati su wafer di 200 mm di diametro che verranno trasformati in moduli e altri dispositivi utilizzati, ad esempio, dall’industria automobilistica, in Europa e nel mondo. Si prevede che la struttura funzionerà a pieno regime nel 2032.
