StMicroelectronics costruirà in Italia un impianto integrato per la produzione di substrati in carburo di silicio, per supportare la domanda crescente di dispositivi SiC per applicazioni automotive e industriali, in un’ottica di transizione verso l’elettrificazione e maggiore efficienza.
Si prevede che la produzione inizi nel 2023 e bilanci l’approvvigionamento di substrati in SiC tra materiali prodotti internamente e acquistati da fornitori esterni. L’investimento di 730 milioni di euro in un arco di cinque anni avrà il supporto finanziario dello Stato italiano nell’ambito del Pnrr e, una volta completato, creerà circa 700 nuovi posti di lavoro diretti. L’impianto, costruito nel sito St di Catania accanto allo stabilimento esistente che produce dispositivi in SiC, sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in volumi di substrati epitassiali in SiC da 150 mm e integrerà tutti i passaggi del flusso produttivo. St è impegnata a sviluppare substrati da 200 mm nel prossimo futuro.
Si tratta di un passaggio chiave per la progressiva attuazione della strategia di integrazione verticale di ST nelle attivita’ in SiC. «St sta trasformando le sue attività produttive globali, con una capacità addizionale nella produzione a 300 mm e una forte focalizzazione sui semiconduttori a larga banda interdetta, a sostegno della sua ambizione di raggiungere i 20 e oltre miliardi di dollari di ricavi», ha detto il Ceo di St, Jean-Marc Chery, sottolineando che il gruppo sta «ampliando le attivita’ operative a Catania, il centro delle nostre competenze nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato attività di ricerca, sviluppo e produzione per il SiC in stretta collaborazione con istituti di ricerca italiani, università e fornitori».
Il nuovo impianto «sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel SiC, ampliando la nostra fornitura di substrati in SiC in una fase in cui aumenteremo ulteriormente i volumi per sostenere la transizione da parte dei nostri clienti dei settori automotive e industriale verso l’elettrificazione e maggiore efficienza», ha aggiunto Chery. L’investimento in questo impianto di produzione di substrati in SiC rappresenta per St un passo significativo verso l’approvvigionamento interno del 40% delle fette in SiC entro il 2024.
